Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13А; Idm: 66А; 3,1Вт; SOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMS13N03T1
27,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMS13N03T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 66А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 59Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 59Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 390мкФ; 500ВDC; Ø40x45мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 390мкФ; 500ВDC; Ø40x45мм

479,60 грн

Висота:
45мм
Діаметр:
40мм
Допуск:
±20%
Ємність:
390мкФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 8,3÷9,2В; 232,5А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 3кВт; 8,3÷9,2В; 232,5А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

43,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
7,5В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight

4,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 127кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 127кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
127кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 32А; 3,1Вт; SOP8

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD