Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 200А; Idm: 1016А; 179Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN1R5-30YLC,115
116,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN1R5-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 1,65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 200А
Струм стоку в імпульсі: 1016А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 182Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 182Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус конектора; прямий; для конекторів 6,3 мм; ПВХ
Корпус конектора; прямий; для конекторів 6,3 мм; ПВХ

6,78 грн

Застосування роз’ємів:
для конекторів 6,3 мм
Матеріал:
ПВХ
Просторова орієнтація:
прямий
Тип аксесуарів для роз’ємів:
корпус конектора
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; THT; straight

16,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

10,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 3мм; Довж.заг: 153мм
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 3мм; Довж.заг: 153мм

504,94 грн

Вид ключа:
кулевидна
Загальна довжина:
153мм
Різновид рукоятки:
T
Розмір ключа:
HEX 3мм
Недоступний
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; PG-DSO-8; -2,5÷2,5А
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; PG-DSO-8; -2,5÷2,5А

57,02 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-2,5...2,5А
Властивості інтегральних мікросхем:
integrated bootstrap functionality
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 2кВ; C0G (NP0); ±10%; SMD

11,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD