Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3

Немає в наявності
Код товару: IRFHM830TRPBF
27,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Корпус: PQFN3.3X3.3
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,7Вт
Струм стока: 21А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 0,2Вт; 4,7В; SMD; SOD323; одиночний діод
Діод: зенера; 0,2Вт; 4,7В; SMD; SOD323; одиночний діод

6,97 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±6%
Зенерівська напруга:
4,7В
Резистор: thin film; 5,1Ом; 0402; 63мВт; ±1%; RT; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 5,1Ом; 0402; 63мВт; ±1%; RT; 1x0,5x0,3мм

0,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
5,1Ом
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 55нс; VFBGA48; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 55нс; VFBGA48; паралельний

182,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
VFBGA48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 24,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 24,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,8А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,8А; 2,1Вт; SOT223

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223