Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 24А; 9,5Вт; DFN3x3 EP

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AON7380
11,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: AON7380
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 6,2нКл
Корпус: DFN3x3 EP
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 6,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 9,5Вт
Струм стока: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 196Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 196Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,4пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; ±20%; V; 7,3x6,6x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 680нГн; ±20%; V; 7,3x6,6x3,8мм

16,41 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,68мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x3,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 15,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 15,8Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 32МГц; SMD; QFN64; PIC24; 32кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 32МГц; SMD; QFN64; PIC24; 32кБSRAM

184,36 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMAC x6; HLVD; LCD controller; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; DAC; FIFO; I2C x3; I2S; IrDA; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SPI x4; UART x6; USB OTG
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±5%; 50В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±5%; 50В

0,44 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 32А; Idm: 96А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 32А; Idm: 96А; 168Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
D2PAK