Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 27А; 12Вт; DFN3x3 EP

Немає в наявності
Код товару: AON7522E
7,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: AON7522E
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 19,7нКл
Корпус: DFN3x3 EP
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: 27А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 249кОм; 0201; 50мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 249кОм; 0201; 50мВт; ±1%; -55÷125°C

0,77 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; 2,7÷3,6ВDC; SMD; TQFP44; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; 2,7÷3,6ВDC; SMD; TQFP44; PIC18

166,62 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
EUSART; I2C; LIN; MSSP x2; RS232; RS485; SPI
Резистор: дротяний; 68Ом; з радіатором; 10Вт; ±5%; 50ppm/°C; 14,3мм
Резистор: дротяний; 68Ом; з радіатором; 10Вт; ±5%; 50ppm/°C; 14,3мм

58,29 грн

Виводи:
до лютування
Вид резистора:
з радіатором
Допуск:
±5%
Кількість монтажних отворів:
2
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 20; Quickie; angled; THT
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 20; Quickie; angled; THT

90,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
20
Недоступний
Резистор: thin film; 15,4кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 15,4кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,92 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 1мкГн; 1410мА; R: 0,026Ом; ±30%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 1мкГн; 1410мА; R: 0,026Ом; ±30%; LQH

10,14 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
1мкГн
Корпус - дюйм:
1812
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8