Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 49А; Idm: 100А; 50Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS0308AS
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: FDMS0308AS
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 47нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 49А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; 90 AM; Iвх: 600А; 10ВА; Iвтор.обм.1: 5А
Трансформатор: струмовий; 90 AM; Iвх: 600А; 10ВА; Iвтор.обм.1: 5А

2396,73 грн

Вхідний струм:
600А
Діаметр внутрішній:
32мм
Клас точності:
0,5
Потужність:
10ВА
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 237В; 4,4А; односпрямована; DO201; 1.5KE; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 237В; 4,4А; односпрямована; DO201; 1.5KE; Ch: 1

17,93 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
214В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO201
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 150В; 3А; 25нс; DO214AB,SMC; Ufmax: 900мВ
Діод: випрямний; SMD; 150В; 3А; 25нс; DO214AB,SMC; Ufmax: 900мВ

25,34 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 44,4В; 15,5А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMB10J
Діод: TVS; 1кВт; 44,4В; 15,5А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMB10J

21,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
40В
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷15мм; 10÷30ВDC; M30; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷15мм; 10÷30ВDC; M30; IP67

2359,35 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...15мм
Загальна довжина:
71мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC

2698,31 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404