Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; 1,8Вт; SC70,SOT323; ESD

Немає в наявності
Код товару: SI1428EDH-T1-GE3
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: SI1428EDH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4нКл
Корпус: SC70; SOT323
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: 4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø8x10мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 220мкФ; 35ВDC; Ø8x10мм

5,07 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,9пФ
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 32А; Полюси: 1; 6кА
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 32А; Полюси: 1; 6кА

520,78 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; Idm: 28А; 73,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; Idm: 28А; 73,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK; TO252AA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111

50,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,26 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
680Ом
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT

53,22 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
3,3мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD