Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 30А; 1,2Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM03N57M
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM03N57M
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 5,8А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 36В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 36В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

2197,16 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
36В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 2мкс; MELF; 1,3В; 1мкА; ролик,cтрічка
Діод: випрямний; SMD; 2мкс; MELF; 1,3В; 1мкА; ролик,cтрічка

5494,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
MELF
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,3В
Недоступний
Резистор: thin film; 133кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 133кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±10%; AS; 500В
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±10%; AS; 500В

4,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223