Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8,5А; 2,1Вт; PQFN2X2

Немає в наявності
Код товару: IRLHS6342TRPBF
8,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4000
Крок додавання: 4000
Код товару: IRLHS6342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: PQFN2X2
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 15,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,1Вт
Струм стока: 8,5А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 17,6В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ
Діод: TVS; 5кВт; 17,6В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ

40,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
15В
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 11; 12бит; 66кsps; 3÷3,6В; SSOP20
IC: перетворювач А/D; Ch: 11; 12бит; 66кsps; 3÷3,6В; SSOP20

0,00 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
single-ended
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0603

5,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; THT
Конденсатор: керамічний; 4,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; THT

1,42 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,7пФ
Монтаж:
THT
Погрішність ємкості:
±0,25пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V

83,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Довжина контакту:
4мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 6,4нГн; 700мА; R: 0,09Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 6,4нГн; 700мА; R: 0,09Ом; LQW; 180мм

3,15 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Індуктивність:
6,4нГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8