Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 82А; 36Вт; PG-TDSON-8

Немає в наявності
Код товару: BSZ0503NSIATMA1
19,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: BSZ0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 36Вт
Струм стока: 82А
Тип транзистора: N-MOSFET
Test probe: ICT/FCT; 10A; Ø: 2.3mm; CuBe; Plating: gold-plated; 10mΩ
Test probe: ICT/FCT; 10A; Ø: 2.3mm; CuBe; Plating: gold-plated; 10mΩ

187,53 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Діаметр наконечника:
2,3мм
Матеріал контакту:
cube
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 237÷263В; 4,5А; односпрямована; DO201AE; 1.5KE
Діод: TVS; 1,5кВт; 237÷263В; 4,5А; односпрямована; DO201AE; 1.5KE

9,82 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
214В
Корпус:
DO201AE
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A

218,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 512МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; WSON8
IC: пам'ять FLASH; 512МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; WSON8

503,04 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
QUAD SPI
Корпус:
WSON8
Недоступний
Резистор: thin film; 21кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 21кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 80А; Idm: 1067А; 58Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 80А; Idm: 1067А; 58Вт; PQFN8

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
32,4нКл
Корпус:
PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223