Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 8А; Idm: 40А; 1,6Вт; TSOP6

Немає в наявності
Код товару: AOTS32334C
2,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AOTS32334C
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 20мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 15,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 15,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 1,7А; ±20%; Ømax: 330мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 1,7А; ±20%; Ømax: 330мм

32,88 грн

Виводи:
до лютування
Високосортність:
28
Висота:
3,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Недоступний
Резистор: thick film; 13,7кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 13,7кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 25А; Idm: 104А; 357Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 25А; Idm: 104А; 357Вт; TO263

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,4нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; SMT; straight

121,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,2мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16,5Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 250ВDC; Ø8x12,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 250ВDC; Ø8x12,5мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
12,5мм
Діаметр:
8мм
Діаметр роліка макс.:
380мм
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 320А; 59,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 320А; 59,5Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 25,3А; Idm: 160А; 27,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 25,3А; Idm: 160А; 27,7Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,6нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; 200Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; 200Вт; TO263

601,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 160А; 59Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 160А; 59Вт

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 14,5А; Idm: 58А; 2,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 14,5А; Idm: 58А; 2,2Вт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27,2нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13А; Idm: 66А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 13А; Idm: 66А; 3,1Вт; SOP8

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,8А; 0,625Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,8А; 0,625Вт; SOT23

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD