Транзистор: N-MOSFET; польовий; 3кВ; 1А; 195Вт; TO247HV; 1,8мкс

Немає в наявності
Код товару: IXTH1N300P3HV
1601,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH1N300P3HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO247HV
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 3кВ
Опір в стані провідності: 50Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 195Вт
Струм стока: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1,8мкс
Недоступний
Резистор: thick film; 3,32МОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 3,32МОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Запобіжник: плавка; 20,7x164мм; циліндровий; 45А; 1,5кВDC; gPV
Запобіжник: плавка; 20,7x164мм; циліндровий; 45А; 1,5кВDC; gPV

2082,49 грн

Вид запобіжника:
циліндровий
Відповідність стандарту:
CUL
Матеріал контакту:
сплав міді
Номінальна напруга:
1,5кВ DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 3A; 250V

96,93 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB