Транзистор: N-MOSFET; польовий; 4,5кВ; 0,2А; 113Вт; TO247HV; 1,6мкс

Немає в наявності
Код товару: IXTH02N450HV
1146,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH02N450HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO247HV
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 4,5кВ
Опір в стані провідності: 625Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 113Вт
Струм стока: 0,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1,6мкс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5МОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 1,5МОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CQ; 200В

1,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Перемикач: важільний; Поз: 2; SPDT; ON-ON; 3A/250ВAC; 4A/30ВDC; 5000
Перемикач: важільний; Поз: 2; SPDT; ON-ON; 3A/250ВAC; 4A/30ВDC; 5000

362,39 грн

Виводи:
до лютування
Вид важеля:
плоска
Висота важеля:
11,4мм
Електрична стійкість:
50000 цикли
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V

171,06 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 7,15Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 7,15Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Connector: wire-board; female; data; 250V; PIN: 4; 2.54mm; nylon
Connector: wire-board; female; data; 250V; PIN: 4; 2.54mm; nylon

2,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: metal film; 510Ом; THT; 0,4Вт; ±1%; MF; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: metal film; 510Ом; THT; 0,4Вт; ±1%; MF; 200В; Ш0,45x28мм

1,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,9мм
Довжина:
3,7мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 16,5Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 16,5Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36,5А; 23,5Вт; TO251B; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36,5А; 23,5Вт; TO251B; ESD

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
TO251B
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5А; Idm: 15А; 30Вт; TO220FN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5А; Idm: 15А; 30Вт; TO220FN

168,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 45А; Idm: 245А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 45А; Idm: 245А

584,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
26,2нКл
Корпус:
TO247-3