Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 220мА; Idm: 2А; 740мВт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: TN2640N3-G
92,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TN2640N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,74Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 0,22А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 35мА; TO263
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 35мА; TO263

124,18 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±1%; CQ; 150В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Тестер: електричний; LCD; ВAC: 1÷1000В; ВDC: 1÷1000В; I AC: 200А
Тестер: електричний; LCD; ВAC: 1÷1000В; ВDC: 1÷1000В; I AC: 200А

21581,37 грн

Батарея/акумулятор:
батарея LR6 AA 1,5В x2
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Відповідність стандарту:
CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Недоступний
Резистор: thin film; 64,9кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 64,9кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 10,5÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; 40А; SSOP24
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 10,5÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; 40А; SSOP24

759,63 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
40А
Вхідна напруга:
10,5...75В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,27 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

221,74 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247