Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: IPB015N04NGATMA1
266,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPB015N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 120А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Tap: metric-set; M10; 1.5; Holder: hand; 3pcs; HSS COBALT
Tap: metric-set; M10; 1.5; Holder: hand; 3pcs; HSS COBALT

2551,32 грн

Type of tap:
metric - set
Вид рукоятки:
ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Відповідність стандарту:
DIN 352; ISO 2/6H
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; неекранований; вилка; 60В; 3А; TPU
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; неекранований; вилка; 60В; 3А; TPU

974,41 грн

Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Діод: TVS; 200Вт; 16÷16,8В; 20А; односпрямована; ±2%; SMF,SOD123F
Діод: TVS; 200Вт; 16÷16,8В; 20А; односпрямована; ±2%; SMF,SOD123F

7,10 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зворотна напруга макс.:
14В
Корпус:
SMF; SOD123F
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 128А; Idm: 512А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 128А; Idm: 512А; 150Вт

307,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220-3
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 1.5A

152,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 3÷3,6ВDC; DSPIC

114,04 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
CAN-FD; I2C x3; PMP; PWM; QEI x2; SENT x2; SPI x3; UART x3
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3

228,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD