1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 316А; Idm: 900А; 83Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 316А; Idm: 900А; 83Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: NVMFSC0D9N04CL
338,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFSC0D9N04CL
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 135нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 316А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,1%
Резистор: дротяний; 1кОм; з радіатором; 25Вт; ±1%; 30ppm/°C; 18,6мм
Резистор: дротяний; 1кОм; з радіатором; 25Вт; ±1%; 30ppm/°C; 18,6мм

94,40 грн

Виводи:
до лютування
Вид резистора:
з радіатором
Допуск:
±1%
Кількість монтажних отворів:
2
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

13,30 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,33нФ
Корпус - дюйм:
0805
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; кутовий; 5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М8 "мама"; кутовий; 5м; вилка; 60ВDC

1077,67 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: metal film; 33мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 33мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; CSN

3,21 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Діод: TVS; 75В; 14,8А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 75В; 14,8А; двоспрямована; ±5%; DO201; 1,5кВт; 1.5KE

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
64,1В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223