Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 350мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: VN0104N3-G
37,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VN0104N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 0,35А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: випрямний; THT; 200В; 3А; Ifsm: 150А; DO27; Ammo Pack; Ufmax: 1В
Діод: випрямний; THT; 200В; 3А; Ifsm: 150А; DO27; Ammo Pack; Ufmax: 1В

8,36 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO27
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 6А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 29,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 29,8кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 17А; 190Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 17А; 190Вт; TO220-3

318,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
220пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

432,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; TO220-3

187,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; Idm: 18А; 74Вт; TO220AB

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB