Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 36,7А; Idm: 208А; 65Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK9Y12-40E,115
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: BUK9Y12-40E,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 9,8нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 24,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65Вт
Струм стока: 36,7А
Струм стоку в імпульсі: 208А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: FPGA; SMD; FBGA144; I/O: 97; лоток; 1,5В
IC: FPGA; SMD; FBGA144; I/O: 97; лоток; 1,5В

3423,09 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
97
Корпус:
FBGA144
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 5,45÷5,73В; SMD; DO219AC,microSMF
Діод: зенера; 0,5Вт; 5,45÷5,73В; SMD; DO219AC,microSMF

2,31 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Зенерівська напруга:
5,45...5,73В
Кількість в наборі/упаковці:
4500шт.
Корпус:
DO219AC; microSMF
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V

41,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 13мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 13мм; 1/2"

156,49 грн

Вид ключа:
насадковий
Розмір гнізда:
HEX 13мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Тип насадки:
6-гранна
Недоступний
Пуск.компл: обчислювальне; Комп: LED6000; 500кГц; 18÷36ВDC; 500мА
Пуск.компл: обчислювальне; Комп: LED6000; 500кГц; 18÷36ВDC; 500мА

1894,96 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер LED
Вихідний струм:
0,5А
Компоненти:
LED6000
Підключення:
вимірювальний термінал
Кінцевий датчик; NC x4; M20; IP66; -25÷70°C; пластик
Кінцевий датчик; NC x4; M20; IP66; -25÷70°C; пластик

9604,04 грн

Властивості перемикачів:
контакти залежної дії
Клас герметичності:
IP66
Конфігурація виходу:
NC x4
Матеріал корпусу:
пластик
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CH; 12G2,5мм2; LSZH; сірий; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CH; 12G2,5мм2; LSZH; сірий; 300В,500В

1393,82 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD