Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 450мА; Idm: 2,4А; 1Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: TN0104N3-G
58,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TN0104N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 0,45А
Струм стоку в імпульсі: 2,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,7пФ
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 43,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В

0,46 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 240пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 240пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Connector: PCB to PCB; plug; data; PIN: 16; straight; on PCBs; LCP
Connector: PCB to PCB; plug; data; PIN: 16; straight; on PCBs; LCP

7,35 грн

Connector family:
data
Кількість пін:
16
Матеріал корпусу:
LCP
Механічний монтаж:
на PCB
Недоступний
Резистор: thin film; 18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Test probe: RF; 2A; Ø: 0.3mm; HFS-807; CuBe; 6.8N; screw-in; L: 33.5mm
Test probe: RF; 2A; Ø: 0.3mm; HFS-807; CuBe; 6.8N; screw-in; L: 33.5mm

20106,46 грн

Type of test probe:
RF
Вигин пружини макс.:
1,5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
максимальний струм зовнішньої оболонки: 3 А; самоочищення
Діаметр коміра:
3,5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB