Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 59А; Idm: 431А; 20Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: NVD5C464NT4G
134,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVD5C464NT4G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20Вт
Струм стока: 59А
Струм стоку в імпульсі: 431А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 61,9Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 61,9Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 15В; двоспрямована; DO15,DO204AC; 0,6кВт; P6KE
Діод: TVS; 15В; двоспрямована; DO15,DO204AC; 0,6кВт; P6KE

5,13 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
15В
Недоступний
Резистор: thick film; 2,15кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 2,15кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
2,15кОм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Iвих: 1А; на панель; 76x31,5x21,2мм
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Iвих: 1А; на панель; 76x31,5x21,2мм

Вихідна напруга:
15В
Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
EN
Зовнішні розміри:
76x31,5x21,2мм
Недоступний
Tap: metric; M18; 2.5; L: 125mm; Holder: square,machine; 14mm; 6H
Tap: metric; M18; 2.5; L: 125mm; Holder: square,machine; 14mm; 6H

1855,68 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
метрична
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
бронза; для крізних отворів; нержавіюча сталь; пластмаса; титан; чавун
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; Дл: 8199мм
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; Дл: 8199мм

1130,89 грн

Довжина кабелю:
8199мм
Довжина проводу:
8,2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD