Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 76А; Idm: 250А; 69Вт; Power56

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDMS8333L
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS8333L
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 64нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 69Вт
Струм стока: 76А
Струм стоку в імпульсі: 250А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Пуск.компл: обчислювальне; Uробоча: 2,4÷5,5ВDC; 600мВ÷3,84В; 6А
Пуск.компл: обчислювальне; Uробоча: 2,4÷5,5ВDC; 600мВ÷3,84В; 6А

4801,70 грн

Вихідна напруга:
600мВ...3,84В
Вихідний струм:
6А
Напруга живлення:
2,4...5,5В DC
Робоча напруга:
2,4...5,5В DC
Недоступний
IC: цифровий; NOT; Ch: 6; CMOS,TTL; SMD; DHVQFN14; 4,5÷5,5ВDC; 40мкА
IC: цифровий; NOT; Ch: 6; CMOS,TTL; SMD; DHVQFN14; 4,5÷5,5ВDC; 40мкА

15,84 грн

Вид затвору:
NOT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
hex; 6
Корпус:
DHVQFN14
IC: цифровий; RS засувка; Ch: 4; CMOS; SMD; SO16; CD4000
IC: цифровий; RS засувка; Ch: 4; CMOS; SMD; SO16; CD4000

25,98 грн

Вид об'єднаної схеми:
RS засувка
Кількість каналів:
4
Корпус:
SO16
Монтаж:
SMD
Connector: D-Sub; PIN: 15; female; data transfer; straight; crimped
Connector: D-Sub; PIN: 15; female; data transfer; straight; crimped

15674,12 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
15
Контейнер; 20700,21700; К-сть бат: 2; PCB,THM; для друку
Контейнер; 20700,21700; К-сть бат: 2; PCB,THM; для друку

601,24 грн

Виводи:
для друку
Кількість батарей:
2
Монтаж:
PCB; THM
Розмір осередку:
20700; 21700
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

1135,33 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; ERJ8GEY
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; ERJ8GEY

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD