Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 82А; Idm: 520А; 113Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB018N04LG2
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB018N04LG2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 113Вт
Струм стока: 82А
Струм стоку в імпульсі: 520А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 69кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 69кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
69кОм
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 80мА; 80мА; PCB; IP00
Трансформатор: литий; 2ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 80мА; 80мА; PCB; IP00

188,80 грн

Виводи вторинної обмотки:
6-7, 9-10
Виводи первинної обмотки:
1-5
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
12В
Резистор: thick film; 402кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 402кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,05 грн

Діаметр роліка макс.:
178мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,5А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,5А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2мкФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±10%

165,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

21,54 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD