1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,5А; Idm: 8А; 50Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,5А; Idm: 8А; 50Вт; TO220AB
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRF820PBF
59,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRF820PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 2,5А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; SMT; 1.5A

575,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
7,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 48МГц; CSP81; 32кБRAM,256кБFLASH; ШИМ: 4
IC: мікроконтролер ARM; 48МГц; CSP81; 32кБRAM,256кБFLASH; ШИМ: 4

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Інтерфейс:
I2C; I2S; IrDA; Smart Card; SPI; UART; USB; USB Host; USB OTG
Кількість входів/виходів:
65
Кількість каналів PWM:
4
Конденсатор: поліпропиленовий; 100нФ; 160ВDC; THT; ±2%; -55÷85°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 100нФ; 160ВDC; THT; ±2%; -55÷85°C

18,63 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±2%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 383Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 383Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
З`єднання: на рейку; PTV; 41А; 1кВ; push-in; L: 57,6мм; 0,5÷10мм2
З`єднання: на рейку; PTV; 41А; 1кВ; push-in; L: 57,6мм; 0,5÷10мм2

175,49 грн

Висота:
84,7мм
Довжина:
57,6мм
Електричний монтаж:
push-in
Кількість клем:
4
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 44; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 44; THT; 1.5A; 60V

1254,44 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
5,5мм
Довжина відводів:
12,4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
149нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB

229,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB