Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,7А; Idm: 18А; 61Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: FQD6N50CTM
55,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQD6N50CTM
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 61Вт
Струм стока: 2,7А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Резистор: thin film; 34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Теплове реле; гвинтові виводи; 0,63÷1А; RF38
Теплове реле; гвинтові виводи; 0,63÷1А; RF38

2007,10 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Діапазон налаштування захисту:
0,63...1А
Застосування - серія/виробник:
RF38
Контрольована величина:
помилка фази
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,2пФ
Недоступний
Діод: TVS; 4,6кВт; 20÷22,1В; 158А; односпрямована; DO218AB; SM6S
Діод: TVS; 4,6кВт; 20÷22,1В; 158А; односпрямована; DO218AB; SM6S

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
18В
Корпус:
DO218AB
Роз’єм: провід-плата; штекерний; Iном: 16А; 250В; PIN: 5; на PCB
Роз’єм: провід-плата; штекерний; Iном: 16А; 250В; PIN: 5; на PCB

50,68 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
5
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 680нФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; 680нФ; 400ВDC; 200ВAC; THT; ±10%

84,26 грн

Вид упаковки:
розсипний
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8