1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 740мВт; TO92

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 740мВт; TO92
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: LND150N3-G
31,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1кОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,74Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 30мА
Струм стоку в імпульсі: 0,03А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 330мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 330мОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

3,67 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB