Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

Немає в наявності
Код товару: IRF840ASTRLPBF
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IRF840ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 5,1А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 2,5В; X7T; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 2,5В; X7T; ±20%; SMD; 0201

0,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 300нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 300нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

286,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; 18,5кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC
Модуль автоматики: інвертор; 18,5кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC

78341,45 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 400В AC
Вихід напруги:
0...10В
Вихідна частота:
0...500Гц
Властивості входу 1:
задавання швидкості обертання сигналом 0...10В, 4...20мА, 0...20мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 270мкФ; 63ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 270мкФ; 63ВDC; ±20%

24,39 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
12,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 261кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 261кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 230В; TO220,TO220MOD; THT; 150А; UBO: 300В
Тиристор: TSS; Urmax: 230В; TO220,TO220MOD; THT; 150А; UBO: 300В

104,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
230В
Корпус:
TO220; TO220MOD
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8