Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,3А; Idm: 32А; 100Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: BXP8N50D
23,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXP8N50D
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 5,3А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; 3м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; Жили: 8
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; 3м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; Жили: 8

1797,39 грн

Використання:
харчова промисловість
Довжина кабелю:
3м
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68; IP69K
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 10ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 10ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; TAJ

17,87 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
C
Резистор: thick film; 3,48Ом; 0402; 63мВт; ±1%; RC; 1x0,5x0,35мм
Резистор: thick film; 3,48Ом; 0402; 63мВт; ±1%; RC; 1x0,5x0,35мм

0,05 грн

Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8