Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7А; 170Вт; D2PAK,TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFS11N50APBF
199,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFS11N50APBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,52Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 170Вт
Струм стока: 7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SPI; 512Кx8бит; 40МГц; 2,3÷3,6В; SOIC8
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SPI; 512Кx8бит; 40МГц; 2,3÷3,6В; SOIC8

51,95 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 6; прямий; на панель; синій
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; PIN: 6; прямий; на панель; синій

33,58 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; Iном: 3А; прямий; Iмакс: 3А
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; Iном: 3А; прямий; Iмакс: 3А

10,96 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальна напруга:
250В AC
Максимальний струм:
3А
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Ключ: тріскачка; насадковий; 3/4"; хром-ванадієва сталь
Ключ: тріскачка; насадковий; 3/4"; хром-ванадієва сталь

5112,78 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3122; ISO 3315
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/4"
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V

51,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
10,1мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD