1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Немає в наявності
Код товару: RE1J002YNTCL
16,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: RE1J002YNTCL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT416F
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,15Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,83 грн

Властивості конденсаторів:
soft termination
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,15 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD