1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 13,1А; 208Вт; PG-TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 13,1А; 208Вт; PG-TO220-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SPP21N50C3
169,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 560В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 13,1А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий; зрушуючий регістр,паралельний вхід; CMOS; SMD; SO16
IC: цифровий; зрушуючий регістр,паралельний вхід; CMOS; SMD; SO16

31,36 грн

Вид виходу:
push-pull; комплементарне
Вид об'єднаної схеми:
зрушуючий регістр; паралельний вхід
Кількість виходів:
1
Корпус:
SO16
Недоступний
Резистор: thick film; 43,2Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 43,2Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
43,2Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1210

13,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 280Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 280Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,63 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
5,6нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 931Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 931Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247