Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,12А; 1,8Вт; SOT223

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSP125H6327XTSA1
53,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: 0,12А
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 487кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø12,5x30мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø12,5x30мм; ±20%

207,17 грн

Виводи:
осьові
Висота:
30мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,8Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

2,58 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0805

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,33нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; THT; 35Вт; ±1%; 10,16x15x4,6мм
Резистор: thick film; 12Ом; THT; 35Вт; ±1%; 10,16x15x4,6мм

387,73 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Опір:
12Ом
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 100нФ; 1,6кВDC; 650ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 100нФ; 1,6кВDC; 650ВAC

91,23 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Довжина відводів:
6мм
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; (SPST-NO + SPST-NC) x2; 5A/250ВAC
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; (SPST-NO + SPST-NC) x2; 5A/250ВAC

1251,90 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8