Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; Idm: 8А; 50Вт

Немає в наявності
Код товару: IRFBC20SPBF
95,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFBC20SPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 4,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4

16,03 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
open drain
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги
Властивості інтегральних мікросхем:
Manual Reset
Недоступний
Кристал; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 11,4x4,7мм; 11,059МГц; -55÷125°C
Кристал; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 11,4x4,7мм; 11,059МГц; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
20пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
50Ом
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; DIP8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; DIP8

31,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Діапазон напруги живлення:
± 3...18В DC; 6...36В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 13мОм; вимірювальний; 1Вт; 6,4x3,2x0,6мм
Резистор: thick film; 13мОм; вимірювальний; 1Вт; 6,4x3,2x0,6мм

0,00 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Зовнішні розміри:
6,4x3,2x0,6мм
Опір:
13мОм
Потужність:
1Вт
Недоступний
Test probe: switching; 3A; Ø: 1.8mm; SKS-215; plastic; 0.45N
Test probe: switching; 3A; Ø: 1.8mm; SKS-215; plastic; 0.45N

885,71 грн

Type of test probe:
switching
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 14; Quickie; straight; THT
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 14; Quickie; straight; THT

55,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
14
Недоступний
Індикатор: LED; зелений; 8÷48ВDC; PM3; пластик; 5,8мм; 14мкд
Індикатор: LED; зелений; 8÷48ВDC; PM3; пластик; 5,8мм; 14мкд

690,57 грн

Діаметр діода ДУВ:
5,8мм
Колір індикатора:
зелений
Матеріал корпусу:
пластик
Робоча напруга:
8...48В DC
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S