1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; Idm: 8А; 50Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; Idm: 8А; 50Вт
Немає в наявності
Код товару: IRFBC20SPBF
95,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFBC20SPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 4,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M8 прямий "папа",М8 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M8 прямий "папа",М8 прямий "мама"

1937,41 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Конденсатор: поліпропіленсульфідні; 4,7нФ; 50В; SMD; ±2%
Конденсатор: поліпропіленсульфідні; 4,7нФ; 50В; SMD; ±2%

9,44 грн

Допуск:
±2%
Ємність:
4,7нФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
50В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 1.5A

15,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 13,86А; Idm: 88А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 500В; 13,86А; Idm: 88А

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
62,5нКл
Корпус:
TO220-3
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 64МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; 64МГц; I2C,SPI,UART,USART; SMD

97,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
44
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 180кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В
Резистор: вуглецевий; 180кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
M8; 30В; IP67; Покриття: позолочений; -25÷80°C
M8; 30В; IP67; Покриття: позолочений; -25÷80°C

7570,97 грн

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В