Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,51А; Idm: 9,6А; 45Вт; IPAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STD3NK60Z-1
79,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD3NK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: IPAK
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 3,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 1,51А
Струм стоку в імпульсі: 9,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 660мА
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 660мА

1904,46 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,66А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; RS73F-RT; 100В
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; RS73F-RT; 100В

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 43кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; PS; 200В

2,40 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,7пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V

128,61 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 470Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 470Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 15А; 225Вт; TO220-3

249,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 12А; 68Вт; SMA

258,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 41А; Idm: 232А; 160Вт

952,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 75В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 48А; Idm: 70А; 70Вт; TO3PF

606,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO3PF