Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; 89Вт; PowerPAK® 8x8L

Немає в наявності
Код товару: SIHH240N60E-T1-GE3
92,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIHH240N60E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 208мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 89Вт
Струм стока: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 4A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 4A/250ВAC; без важеля; SPDT; ON-(ON)

193,87 грн

Виводи:
для друку
Властивості перемикачів:
без важеля
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; SMT; straight

65,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

63,99 грн

Alias:
C0603C472F5GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Резистор: thick film; 820Ом; 5Вт; ±5%; SMF; -55÷200°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 820Ом; 5Вт; ±5%; SMF; -55÷200°C; 100ppm/°C

35,73 грн

Допуск:
±5%
Опір:
820Ом
Потужність:
5Вт
Робоча температура:
-55...200°C
Недоступний
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 160Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; THT; 2,5мм

3,26 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 953кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл