Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; 179Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP150N60E-GE3
117,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHP150N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 14А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 5,36кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 4В; X7T; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 4В; X7T; ±10%; SMD; 0201

0,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Ємність:
0,47мкФ
Роз’єм: XLR; гніздо; штекерний; аудіо відео; AXS; 15А; 133В; PIN: 3
Роз’єм: XLR; гніздо; штекерний; аудіо відео; AXS; 15А; 133В; PIN: 3

440,95 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Недоступний
Зонд: до скопометру; пасивний; 500МГц; Перед: 10: 1; 1,2м
Зонд: до скопометру; пасивний; 500МГц; Перед: 10: 1; 1,2м

19000,28 грн

Вид щупа:
пасивний
Довжина проводу:
1,2м
Передача:
10:1
Смуга:
500МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±2%; 150В
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±2%; 150В

0,08 грн

Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 456В; 2,3А; односпрямована; DO201; 1.5KE; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 456В; 2,3А; односпрямована; DO201; 1.5KE; Ch: 1

17,93 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
408В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO201
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс

530,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс

227,45 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
1,07мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3

727,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В