1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 62,5Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 62,5Вт; TO220FP
Немає в наявності
Код товару: TSM60NB150CF C0G
210,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM60NB150CF C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 15А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,2МОм; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові
Резистор: вуглецевий; 1,2МОм; THT; 250мВт; ±5%; 300В; осьові

1,64 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,1мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,6пФ
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 6кА; Iвих: 5А; 0,5@max100ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 6кА; Iвих: 5А; 0,5@max100ВА; 50÷60Гц

9279,66 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
6кА
Клас точності:
0,5 @max 100ВА
Резистор: thick film; 49,9кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 49,9кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 374кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 374кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 1,96кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 1,96кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; Y2; 1,5нФ; 300ВAC; Y5V; ±20%; 7,5мм
Конденсатор: керамічний; Y2; 1,5нФ; 300ВAC; Y5V; ±20%; 7,5мм

6,08 грн

Вид конденсатора:
Y2
Діелектрик:
Y5V
Допуск:
±20%
Ємність:
1,5нФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 130Вт; TO220AB; 60нс

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO247-3; 85нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO247-3; 85нс

349,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
150нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; 625Вт; TO247-3; 158нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 96А; 625Вт; TO247-3; 158нс

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
114нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6А; 300Вт; TO220AB; 64нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6А; 300Вт; TO220AB; 64нс

650,03 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 76А; 460Вт; TO3P; 148нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 76А; 460Вт; TO3P; 148нс

377,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
92нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 32А; 1000Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 32А; 1000Вт; TO264

769,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 44А; 1040Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 44А; 1040Вт; TO264

921,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
198нКл
Корпус:
TO264