Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; 156Вт; PG-TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IPW60R070CFD7
433,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPW60R070CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 67нКл
Корпус: PG-TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,129Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 20А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,9нГн; 900мА; R: 0,04Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,9нГн; 900мА; R: 0,04Ом; LQW; 180мм

2,17 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5nH
Індуктивність:
3,9нГн
Корпус - дюйм:
0402
Ланцюгова напрямна; 2480; Рад.заг: 100мм; L: 1012мм; E2/000
Ланцюгова напрямна; 2480; Рад.заг: 100мм; L: 1012мм; E2/000

4209,33 грн

Внутрішня висота:
25мм
Внутрішня ширина:
57мм
Довжина:
1012мм
Зовнішня висота:
35мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
3,3нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GJF
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GJF

1,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 12бит; 80Мsps; 1,2÷1,8В; TFBGA121
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 12бит; 80Мsps; 1,2÷1,8В; TFBGA121

868,60 грн

Max DNL:
±0,03LSB
Max INL:
±0,125LSB
Вид архітектури:
потокова обробка
Вид упаковки:
лоток
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,4Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 39,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 39,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт