Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 84А; 300Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT6029BFLLG
829,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT6029BFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,29Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 84А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 48; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 48; THT; 1.5A; 60V

751,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
13,8мм
Довжина відводів:
4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; NQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 22,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 22,6Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74МОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,74МОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,74мОм
Недоступний
Резистор: thick film; SMD; 0402; 2кОм; 63мВт; ±1%; WR; 1x0,5мм
Резистор: thick film; SMD; 0402; 2кОм; 63мВт; ±1%; WR; 1x0,5мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Імпульсна макс. напруга:
100В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB