Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO220-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO220-3
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPP60R160P6XKSA1
Price: 134.95 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: IPP60R160P6XKSA1

134,95 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPP60R160P6XKSA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Корпус:

PG-TO220-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

0,16Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

176Вт

Струм стока:

23,8А

Технологія:

CoolMOS™ P6

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
37нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
90нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
45нКл

Корпус:
TO220F

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
149нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
86нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB

229,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
86нКл

Корпус:
TO220AB