Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 29А; Idm: 116А; 400Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT6021BFLLG
1007,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT6021BFLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,21Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 400Вт
Струм стока: 29А
Струм стоку в імпульсі: 116А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: тиску; -15÷15psi; диференційний; OUT: SPI; THT; DIP
Датчик: тиску; -15÷15psi; диференційний; OUT: SPI; THT; DIP

2213,64 грн

Властивості датчиків:
силіконове покриття
Діапазон вимірювання тиску:
-15...15psi
Конфігурація виходу:
SPI
Корпус:
DIP
Резистор: thin film; 33,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 33,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C

39,22 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 50-400%@10mA
Оптрон; THT; Ch: 2; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 50-400%@10mA

59,55 грн

CTR@If:
50-400%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Відповідність стандарту:
VDE
Датчик: Холла; кутового положення; Діапазон: 180° (±90°); IP67
Датчик: Холла; кутового положення; Діапазон: 180° (±90°); IP67

4358,22 грн

Вид датчика:
кутового положення
Вимірювальний діапазон:
180° (±90°)
Вихід напруги:
500мВ...4,5В
Клас герметичності:
IP67
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,75 грн

Alias:
C0603C333K1RAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; Y5V; -20÷80%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10В; Y5V; -20÷80%; SMD; 0805

30,41 грн

Alias:
KGM21AV51A475ZU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
Y5V
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100

395,34 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PMP; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247