Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; Idm: 24А; 85Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: BXP6N60D
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXP6N60D
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 3,5А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 470мкФ; 25ВDC; Ø10x10,2мм; TC
Конденсатор: електролітичний; SMD; 470мкФ; 25ВDC; Ø10x10,2мм; TC

25,22 грн

Висота:
10,2мм
Діаметр:
10мм
Ємність:
470мкФ
Імпеданс:
0,15Ом
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 1,55А; Ш0,51x7,6мм
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 1,55А; Ш0,51x7,6мм

15,21 грн

Вимір D:
7,6мм
Максимальна напруга:
16В DC
Монтаж:
THT
Номінальний струм:
1,55А
Недоступний
Резистор: thick film; 267кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 267кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD