1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO220-3
Немає в наявності
Код товару: IPP60R099P6XKSA1
287,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP60R099P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 37,9А
Технологія: CoolMOS™ P6
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 83мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 83мА

489,74 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
83мА
Вхідна напруга:
36...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,4пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0805; 200мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0805; 200мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

1,12 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323
Транзистор: NPN; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT323

2,48 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; SPI; 50кОм; 7бит; QFN20; SMD; Ch: 4
IC: цифровий потенціометр; SPI; 50кОм; 7бит; QFN20; SMD; Ch: 4

71,59 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Max INL:
±0,5LSB
Вид пам’яті:
енергонезалежний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 0402

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±10%
Резистор: вуглецевий; 18Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм
Резистор: вуглецевий; 18Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм

1,22 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
149нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB

229,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB