Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 40мА; Idm: 0,16А; 500мВт

Немає в наявності
Код товару: MMFTN612K
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMFTN612K
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 7,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 150Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 40мА
Струм стоку в імпульсі: 0,16А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 300кГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; DIP14; -5÷5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 300кГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; DIP14; -5÷5мВ

0,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-5...5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Недоступний
Дисплей: TFT; 7"; 800x480; Підсв: LED; Вим: 164,9x100x5,7мм; RGB
Дисплей: TFT; 7"; 800x480; Підсв: LED; Вим: 164,9x100x5,7мм; RGB

2107,83 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
графічний
Діагональ екрану:
7"
Інтерфейс:
parallel 24bit RGB
Недоступний
Резистор: thin film; 2,32кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,32кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; TFR

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

2,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 562Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 50ppm/°C
Резистор: thin film; 562Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 50ppm/°C

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD