1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 43А; Idm: 172А; 565Вт; TO264

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 43А; Idm: 172А; 565Вт; TO264
Немає в наявності
Код товару: APT6013LLLG
1307,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT6013LLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 130нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 565Вт
Струм стока: 43А
Струм стоку в імпульсі: 172А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,61кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,61кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Датчик: фотоелектричний; 30В; Дальність: 3,18мм; -40÷85°C; 50мА
Датчик: фотоелектричний; 30В; Дальність: 3,18мм; -40÷85°C; 50мА

316,14 грн

Дальність:
3,18мм
Довжина хвилі λd:
890нм
Напруги колектор-емітер:
30В
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thin film; 8,06Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 8,06Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 20кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 20кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 78,7Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 78,7Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
78,7Ом
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 1мкФ; 450ВDC; 18x11x6мм; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; 1мкФ; 450ВDC; 18x11x6мм; THT; ±5%

12,67 грн

Висота:
11мм
Довжина відводів:
18мм
Допуск:
±5%
Ємність:
1мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB