Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-3
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPW60R040C7XKSA1
Price: 716.55 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IPW60R040C7XKSA1

716,55 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPW60R040C7XKSA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Корпус:

PG-TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

40мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

227Вт

Струм стока:

50А

Технологія:

CoolMOS™ C7

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96Вт; TO220-3

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
59нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 80А; 30Вт; TO220FP

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
35нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
61нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
16,5нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
143нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
розсипний

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
24,7нКл

Корпус:
TO220AB