Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 70мА; Idm: 0,2А; 1,1Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: DMN60H080DS-7
23,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN60H080DS-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 1,7нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,29Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: 70мА
Струм стоку в імпульсі: 0,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 8,25кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 8,25кОм; SMD; 4320; 5Вт; ±1%; SP; 300В

21,48 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4320
Корпус - мм:
1150
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 3A; 250V

331,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 19,1кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 19,1кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 9,5А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 9,5А

108,34 грн

Alias:
S2C-SMT 3.50/08/90G 3.2SN BK RL
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
14мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 4МГц; THT; DIP18; PIC16; туба; 3÷5,5В
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 4МГц; THT; DIP18; PIC16; туба; 3÷5,5В

304,11 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; мікросхема watchdog
Кількість входів/виходів:
13
Корпус:
DIP18
Недоступний
Резистор: thin film; 69Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 69Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M; 75В

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 400мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 400мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8