Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 145Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: BXP7N60D
33,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXP7N60D
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик; туба
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 145Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,2пФ
Недоступний
Роз’єм: військовий; гніздо; штекерний; військовий; PIN: 29; 13А
Роз’єм: військовий; гніздо; штекерний; військовий; PIN: 29; 13А

3335,03 грн

Connector family:
військовий
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
Commercial Standard
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 0÷90мм; IP67; Дл: 2м; Корпус: Ø1
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 0÷90мм; IP67; Дл: 2м; Корпус: Ø1

4436,78 грн

Властивості датчиків:
дальність дії датчика залежить від застосованих аксесуарів
Дальність:
0...90мм
Довжина проводу:
2м
Загальна довжина:
6мм
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; M18; 2м; IP67

2859,86 грн

Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP / NO
Недоступний
Колона сигналізації; LED; 24ВDC; 45мм; -20÷50°C
Колона сигналізації; LED; 24ВDC; 45мм; -20÷50°C

11182,86 грн

Джерело світла:
LED
Діаметр:
45мм
Колір:
червоний / жовтий / зелений / блакитний; червоний /жовтогарячий / зелений / блакитний
Напруга живлення:
24В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100

473,26 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
PMP; PPS; UART
Генератор вбудований:
8МГц
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252