1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 90А; 1100Вт; TO264; 210нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 90А; 1100Вт; TO264; 210нс
Немає в наявності
Код товару: IXFK90N60X
848,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK90N60X
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 0,21мкКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1кВт
Струм стока: 90А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 210нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,91Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,91Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
1,91Ом
Недоступний
Роз’єм: automotive; AT; на PCB; Блокування: защіпка
Роз’єм: automotive; AT; на PCB; Блокування: защіпка

387,10 грн

Механічний монтаж:
на PCB
Робоча температура:
-55...125°C
Серія виробника:
AT
Система блокування:
защіпка
Діод: TVS; 400Вт; 36,7В; 33А; односпрямована; SMA; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 400Вт; 36,7В; 33А; односпрямована; SMA; ролик,cтрічка

27,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
33В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X5R; ±10%; SMD; 1206

18,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Акум: Ni-MH; AA; 2100мАг; 1,2В; ReCyko; -20÷50°C; 2шт.
Акум: Ni-MH; AA; 2100мАг; 1,2В; ReCyko; -20÷50°C; 2шт.

270,53 грн

Ємність:
2,1Аг
Кількість в наборі/упаковці:
2шт.
Номінальна напруга:
1,2В
Робоча температура:
-20...50°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,77 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247