Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZVN3306A
73,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZVN3306A
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,625Вт
Струм стока: 0,27А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 75,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 75,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 1,8кВ; If: 110А; Ifsm: 1кА
Випрямний міст: напівкерований; Urmax: 1,8кВ; If: 110А; Ifsm: 1кА

1166,37 грн

Виводи:
гвинти М6
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; зворотний діод
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 14÷160ВDC; Uвих: 28ВDC; Iвих: 1,79А
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 14÷160ВDC; Uвих: 28ВDC; Iвих: 1,79А

Використання:
IT
Вихідна напруга:
28В DC
Вихідний струм:
1,79А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201; 180мм

1,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 22,1кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 22,1кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Ключ: накидний; ізольований,зігнутий; 11мм; L: 175мм
Ключ: накидний; ізольований,зігнутий; 11мм; L: 175мм

1523,06 грн

Вид ключа:
зігнутий; ізольований
Відповідність стандарту:
DIN 7447; VDE
Довжина:
175мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247