Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,28А; 0,5Вт; SOT323

Немає в наявності
Код товару: BSS138WH6327XTSA1
13,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,28А
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: FFC/FPC; позолочений; 200В; Контакти: фосфориста бронза
Роз’єм: FFC/FPC; позолочений; 200В; Контакти: фосфориста бронза

0,00 грн

Клас горючості:
UL94V-0
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Номінальна напруга:
200В
Покриття контакту:
позолочений
Резистор: thin film; 47кОм; прецизійний; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%
Резистор: thin film; 47кОм; прецизійний; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%

6,97 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; NS; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; NS; 200В; -55÷155°C

3,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Вентилятор: DC; 40x40x20мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 15,96м3/г
Вентилятор: DC; 40x40x20мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 15,96м3/г

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; Ufmax: 1,8В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 650В; 10Аx2; TO247-3; Ufmax: 1,8В

273,70 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD